三星最近宣布推出世界上第一個基于 MRAM(磁阻隨機存取存儲器)的內存計算。相關論文也由Nature在線發表。這篇題為“用于內存計算的磁阻存儲器件的交叉陣列”的論文展示了三星在內存技術方面的領先地位，以及它在將內存和半導體系統合并到下一代人工智能 (AI) 芯片方面所做的工作。

　　該研究由三星高級技術研究院 (SAIT) 與三星電子代工業務和半導體研發中心密切合作領導。該團隊由 SAIT 研究員 Seungchul Jung 博士和共同通訊作者、SAIT 研究員、哈佛大學教授 Donhee Ham 博士和 SAIT 技術副總裁 Sang Joon Kim 博士領導。

　　在現代標準計算機體系結構中，數據存儲在內存芯片中，數據計算在處理器中執行。相比之下，內存計算是一種新的計算方式，旨在在內存網絡中執行數據存儲和數據計算。由于該方案可以處理大量存儲在內存中的數據而無需數據傳輸，并且內存中的數據處理將以高度并行的方式進行，因此功耗將大大降低。因此，內存計算已成為實現下一代低功耗人工智能半導體芯片最有前景的技術之一。

　　三星研究人員通過架構創新提供了一種解決方案，成功開發了一種 MRAM 陣列芯片，該芯片“展示了內存計算，通過用新的‘電阻和’內存計算取代標準的‘電流和’內存計算架構架構，它解決了單個 MRAM 設備的小電阻問題。”

　　三星認為，MRAM 芯片未來也可以作為下載生物神經元網絡的平臺，因為其計算架構更類似于大腦神經元網絡。